此项研究是美国能源部（DOE）推出的极紫外光刻与材料创新中心（ELMIC）的一部分，获得了1★★.79亿美元的资金支持。ELMIC专注于推动微电子系统中的基础科学进步★★★，LLNL主导的为期四年的项目耗资1200万美元利来老牌ag旗舰★★★，旨在深入研究EUV光源的制造效率，推动下一代★★★“超越EUV”的光刻系统。

　　LLNL的科学家们指出★★，这一项目的成功将对当今人工智能、高性能计算及智能手机等多个领域的硬件创新产生深远影响。这项研究不仅是半导体制造效率的一次飞跃，更将为实现更小更强大的芯片介入世界科技的前沿。

　　该技术的核心在于每秒数万滴锡的激光照射★★★，形成光子并将其引导至光刻胶层，以刻制微观集成电路图案★★★。LAB激光系统通过应用特定的增益介质来增强激光束的功率和强度，其独特波长约为2微米，与目前主流的激光技术截然不同★★★。

　　美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）近日宣布，经过数十年的研究，该实验室再次在半导体领域取得重大突破，特别是在光刻技术上。这一突破得益于新开发的大口径铥（BAT）激光系统，它有望将极紫外（EUV）光源的效率提升至当前行业标准的十倍，从而显著提高芯片制造的速度和降低能耗★★。

　　在未来的几个月中★，研究团队将在“木星激光设施”进行大量实验，以验证新技术的实际表现利来老牌ag旗舰★★★。随着这一技术的不断成熟★，预计将有效推动全球芯片产业的进一步发展★，帮助美国继续在国际半导体竞争中保持领先地位★★★。返回搜狐，查看更多